鲁晶 P沟道MOS管
相关结果约441185条场效应管发热严重的4大原因
关于MOS管的选型,有加强型(EnhancementMOS或EMOS)和耗尽型(MOS或DMOS)两大类,每一类有N沟道和P沟道两种导电类型。场效应管有三个电极:D(Drain)称为漏极,相当双极型三极管的集电极;G(Gate)称为栅极,相当于双极型三极管的基极;S(Source)称为源极,相当于双极型三极管的发射极。
通俗易懂讲解MOS管
MOS管的英文全称叫MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor),即金属氧化物半导体型场效应管,属于场效应管中的绝缘栅型。因此,MOS管有时被称为绝缘栅场效应管。在一般电子电路中,MOS管通常被用于放大电路或开关电路。
广告 发布时间 : 2025-03-03
低压MOS管选型步骤有哪些?
我们知道在电路中二极管和三极管分类下产品之间是可以做等效替代的,因此器件的选型是很重要的,本文我们主要来介绍下低压MOS管选型步骤有哪些?我们之所以说MOS管的选型很重要,是因为MOS管选择不好有可能影响到整个电路的效率和成本,同时也会给工程师带来诸多麻烦。
【产品】脉冲漏极电流最大额定值高达-12A的P沟道MOSFET LJ2315,采用SOT-23封装
鲁晶半导体推出的LJ2315是一款采用SOT-23封装的P沟道MOSFET ,环境温度25℃时,该器件漏源电压最大额定值为-12V,栅源电压最大额定值为±8V,脉冲漏极电流最大额定值高达-12A。具有高正向浪涌电流能力,功耗低,效率高,可用于表面贴装应用。
【产品】采用SOT-23-3S封装的P沟道MOSFETLDN6911S,漏源电压最大额定值为-60V
鲁晶半导体推出的LDN6911S是一款采用SOT-23-3S封装的P沟道MOSFET ,环境温度25℃时,该器件漏源电压最大额定值为-60V,栅源电压最大额定值为±20V,连续漏极电流最大额定值-2A。该产品是绿色环保器件,具有快速开关的特性。
MOS管工作原理图详解:工作原理电路图及结构分析
MOS管是FET的一种(另一种是JFET),可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是这两种。本文中XNRUSEMI来为大家介绍MOS管工作原理图,希望对各位工程师朋友有所帮助。
【技术】MOS管N/P沟道如何区分?
时科为你科普MOS管N/P沟道如何区分?在绝缘栅型场效应管中,目前常用二氧化硅作金属铝栅极和半导体之间的绝缘层,称为金属一氧化物-半导体场效应晶体管,简称为MOSFET或者MOS管。
TMC科普课堂系列——解析MOS管的判定、连接要点、开关条件、重要参数等
本文台懋介绍了MOS管三个极怎么判定、N沟道还是P沟道、寄生二极管方向如何、MOS管用作开关时在电路中的连接关键点、开关条件、重要参数、管脚识别、MOS反向导通等内容。
【经验】导致场效应管(MOS管)发热严重的四大因素
在半导体电子应用过程中,场效应管(简称MOS管)经常会出现发热严重的现象,那么是什么原因才会导致MOS管严重发热?首先先需要了解MOS管的构造原理,场效应管(MOS管)是只要一种载流子参与导电,用输入电压控制输出电流的半导体器件,进一步可以划分为有N沟道器件和P沟道器件。
【选型】电控制板中成功替代P沟道MOS管AOS AO3401的30V/4.4A AS3401,参数基本一致、且不用改板
在2020下半年,MOS芯片短缺的情况下,不少客户将目光转向国产替代。在这个期间,本文推荐的安邦AS3401成功替代了某一家电控制板案子的AOS(万国半导体)AO3401。AS3401采用标准的SOT-23封装,与大多数欧美品牌的SOT-23封装尺寸接近,替代时无需考虑改板等问题,实现了pin-to-pin替代。
解析与比较N沟道MOS管与P沟道MOS管的结构、原理、优劣与应用
在电子技术的领域中,MOS管(金属氧化物半导体场效应晶体管)是至关重要的元件之一。其中,N沟道MOS管和P沟道MOS管作为两种主要类型,各自具有独特的特点和应用场景。本文芯伯乐将深入探讨这两种MOS管的结构、原理以及比较,并帮助您更好地理解它们的优劣与应用。
【经验】解析如何选择最适合的MOS管驱动电路
MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是这两种。本文SLKOR主要解析如何选择最适合的MOS管驱动电路。
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